応用技術系
物質(物理)系
工学研究科
2022年
33.半導体の上のコンデンサ（MOS）～MOS構造はエレクトロニクスの基本～
受講場所
対面
担当研究科
工学研究科
担当者
渡部平司、小林拓真
最大受講人数
1人
【概要】
MOS構造とは、半導体上に絶縁膜と金属電極を積み重ねた構造です（Metal-Oxide-Semiconductor）。MOSデバイスはコンデンサの一種であると共に、電極に電圧を加えることで半導体の性質を操ることができるので、パソコンやスマートフォンを構成する集積回路や電気自動車のモーター制御を行う様々な半導体デバイスの心臓部です。本テーマでは、MOSデバイスの基本を学ぶと共に、学内の最先端クリンルーム内でMOSデバイスを試作し、その電気特性を取得します。
【備考】
MOSデバイスの基礎を理解する為には、高校の範囲内でよいので物理の基礎が必要です。また、クリンルーム内での作業は、高校生にとっては未体験の環境であり、様々な薬液を使用しますので、安全ルールの順守が求められます。